淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對(duì)策略

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“什么是‘預(yù)料不到的技術(shù)效果’需要重點(diǎn)考量的因素？”

來源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）
作者：展艷珊 北京高沃律師事務(wù)所

在判斷創(chuàng)造性的考慮因素中，“預(yù)料不到的技術(shù)效果”越來越多地成為申請(qǐng)人和專利權(quán)人的爭(zhēng)辯手段。然而在創(chuàng)造性的實(shí)際審查過程中，在判斷發(fā)明的技術(shù)方案是否產(chǎn)生了“預(yù)料不到的技術(shù)效果”時(shí)，經(jīng)常存在分歧。尤其在化學(xué)領(lǐng)域中，由于化學(xué)領(lǐng)域的預(yù)見性比較低，通常對(duì)于“質(zhì)”或“量”的變化無法事先預(yù)測(cè)或通過推理得出，判斷發(fā)明是否具有“預(yù)料不到的技術(shù)效果”更易產(chǎn)生分歧。因此，在化學(xué)領(lǐng)域，究竟什么樣的技術(shù)效果才可以算作預(yù)料不到的技術(shù)效果，什么因素是需要重點(diǎn)考量的因素，這些問題都是在面對(duì)發(fā)明申請(qǐng)是否具有“預(yù)料不到的技術(shù)效果”判斷時(shí)需要解決的難題。

“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的概念

審查指南指出：發(fā)明取得了預(yù)料不到的技術(shù)效果，是指發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，其技術(shù)效果產(chǎn)生了“質(zhì)”的變化，具有新的性能；或者產(chǎn)生“量”的變化，超出人們預(yù)期的想象。這種“質(zhì)”的或者“量”的變化，對(duì)所屬技術(shù)人員來說，事先無法預(yù)料或者推理出來。由此可以看出，判斷“預(yù)料不到的技術(shù)效果”其實(shí)與“三步法”中顯而易見的判斷一樣，均是在技術(shù)效果的事實(shí)基礎(chǔ)上作出的判斷；并且，判斷發(fā)明是否具備“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的主體應(yīng)當(dāng)是所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，“預(yù)料不到的技術(shù)效果”是指技術(shù)效果本身的“質(zhì)”變或“量”變相對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的判斷能力和現(xiàn)有技術(shù)給出的教導(dǎo)而言的，需要以所屬領(lǐng)域技術(shù)人員視角根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)以及本申請(qǐng)的技術(shù)效果做出的全面、客觀的評(píng)判。

什么是“預(yù)料不到的技術(shù)效果”需要重點(diǎn)考量的因素？

筆者認(rèn)為，預(yù)料不到的技術(shù)效果會(huì)體現(xiàn)在發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問題上，實(shí)際解決的技術(shù)問題經(jīng)常就是發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的技術(shù)效果自身或者是將其提煉、概括或抽象成的技術(shù)任務(wù)，同時(shí)該技術(shù)效果是否屬于“預(yù)料不到”又由技術(shù)啟示的強(qiáng)弱來決定。因此，如果發(fā)明產(chǎn)生了預(yù)料不到的技術(shù)效果，一般情況下也說明區(qū)別技術(shù)特征能夠解決這一技術(shù)問題是難以預(yù)料的；進(jìn)而意味著，現(xiàn)有技術(shù)沒有給出明確、充分的解決該技術(shù)問題的技術(shù)啟示，于是，該發(fā)明的得出也將會(huì)是非顯而易見的。因此，“預(yù)料不到的技術(shù)效果”需要重點(diǎn)考慮的因素是：“預(yù)料不到的技術(shù)效果”與實(shí)際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示的判斷之間的關(guān)系。

下面結(jié)合復(fù)審成功的案例舉例說明：

案例：

（一）案情簡(jiǎn)述：

權(quán)利要求：

1、一種磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖為四方相磷酸二氫鉀單晶光纖、單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖、四方相磷酸二氘鉀單晶光纖或單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖；所述的磷酸二氫鉀的分子式為KH2PO4，所述的磷酸二氘鉀的分子式為K(H1-xDx)2PO4，其中0<x<1；

具體生長(zhǎng)方法包括步驟如下：

將磷酸二氫鉀加入溶劑中，密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液；將所得溶液在70-90℃下過熱48小時(shí)，之后過濾至生長(zhǎng)槽中，冷卻至0-30℃，得到過飽和溶液；向上述過飽和溶液中加入晶種，在采用下種生長(zhǎng)方式，在生長(zhǎng)槽密封狀態(tài)下生長(zhǎng)，得到單晶光纖；

所述的溶劑為超純水和/或重水；

所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15-40％；

所述的晶種為直徑1-50μm，長(zhǎng)徑比為20:1-70:1的KDP晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述的四方相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于-42m點(diǎn)群，I-42d空間群，a=b=7.453?，c=6.793?，α=β=γ=90°；所述的單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于2/m點(diǎn)群，P21/c空間群，a=14.598(5)?，b=4.503(5)?，c=18.650(5)?，α=90°，γ=90°，β=108.040(5)°；所述的四方相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于-42m點(diǎn)群，I-42d空間群，a=b=7.48?，c=7.0?，α=β=γ=90°；所述的單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于2/m點(diǎn)群，P21/c空間群，a=14.6571(5)?，b=4.5187(5)?，c=18.6962(5)?，α=90°，γ=90°，β=108.030(2)°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述的單晶光纖的直徑為1-100μm；所述單晶光纖的長(zhǎng)徑比≥500：1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20-35％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23％、26％、28.5％、31％、33.3％。......

審查員在審查意見通知書中指出：對(duì)比文件1公開了KDP單晶光纖生長(zhǎng)及相變研究，并具體公開了高飽和溶液快速生長(zhǎng)得到KDP（即KH2PO4）四方相單晶光纖。權(quán)利要求1與對(duì)比文件1的區(qū)別為：密封加熱；將溶液在70-90℃下過熱48小時(shí)，過熱和過濾順序不同，冷卻至0-30℃；生長(zhǎng)槽密封，得到單晶光纖；晶種直徑、長(zhǎng)徑比。對(duì)于上述區(qū)別技術(shù)特征，選擇密封加熱、生長(zhǎng)槽密封是本領(lǐng)域的常規(guī)選擇。對(duì)比文件1公開了所有溶液均升溫至80℃下過熱2h，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對(duì)比文件1的記載能夠選擇合適的過熱溫度和時(shí)間。另外，本領(lǐng)域眾所周知，KDP溶液的飽和度隨溫度的降低而增大，本領(lǐng)域技術(shù)人員為了快速制備KDP類單晶光纖，通過有限次常規(guī)試驗(yàn)?zāi)軌蛘{(diào)整合適的生長(zhǎng)溫度，其技術(shù)效果可以預(yù)期。此外，根據(jù)需要選擇過熱和過濾的順序也為常規(guī)選擇。

因此，在對(duì)比文件1的基礎(chǔ)上結(jié)合本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)手段得到權(quán)利要求1請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，該方案不具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，不具備創(chuàng)造性，不符合專利法第22條第3款的規(guī)定。

審?fù)A段是如何答復(fù)的？

A：對(duì)比文件1在體塊KDP晶體的柱面死區(qū)進(jìn)行KDP單晶光纖的生長(zhǎng)研究，不僅未能實(shí)現(xiàn)KDP單晶光纖的下種控制生長(zhǎng)，甚至沒有在其設(shè)定的實(shí)驗(yàn)條件下觀察到任何光纖生長(zhǎng)的跡象，即對(duì)比文件1使用下種生長(zhǎng)的方法，并未生長(zhǎng)得到KDP類單晶光纖。

B：本申請(qǐng)的KDP類單晶光纖的生長(zhǎng)條件與對(duì)比文件1不同，對(duì)比文件1并未涉及本申請(qǐng)KDP類單晶光纖的生長(zhǎng)條件：本申請(qǐng)優(yōu)化的生長(zhǎng)溫度為25-30℃，晶種為直徑1-50μm，長(zhǎng)徑比為20:1-70:1的KDP晶體，磷酸二氫鉀溶液的濃度為20-35%，在上述條件下，本申請(qǐng)實(shí)現(xiàn)了KDP類單晶光纖的可控生長(zhǎng)，并且得到了高質(zhì)量、光纖直徑以及長(zhǎng)度可控的優(yōu)質(zhì)單晶光纖晶體。而對(duì)比文件1僅僅是在體塊晶體柱面死區(qū)進(jìn)行了單晶光纖生長(zhǎng)的初步探究，其并未得到單晶光纖，并且生長(zhǎng)條件與本申請(qǐng)完全不同。

審查員對(duì)于答復(fù)的回復(fù)

A：審查員堅(jiān)持認(rèn)為對(duì)比文件1與本申請(qǐng)均為下種法，且對(duì)比文件1利用下種生長(zhǎng)法能夠得到KDP類單晶光纖。

B：對(duì)比文件1公開了KDP四方相單晶光纖在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23%的磷酸二氫鉀溶液中的飽和點(diǎn)是34.1℃，對(duì)比文件1也是通過對(duì)下種生長(zhǎng)法溶液降溫來使得溶液過飽和，且本申請(qǐng)實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)參數(shù)與對(duì)比文件1所給出的實(shí)驗(yàn)參數(shù)不具有可比性（對(duì)比文件1是通過控制過飽和度）。本領(lǐng)域技術(shù)人員在對(duì)比文件1所公開的參數(shù)的基礎(chǔ)上，通過有限次實(shí)驗(yàn)?zāi)軌蛏L(zhǎng)得到KDP單晶光纖。

思考：為什么審查員不認(rèn)可審?fù)A段的意見陳述？

A：通過上述論述可知，本申請(qǐng)相對(duì)于對(duì)比文件1的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是即“本申請(qǐng)通過控制制備方法制備出了磷酸二氫鉀類單晶光纖，而對(duì)比文件1中并未制備出單晶光纖”，然而在論述的過程中，審?fù)ù饛?fù)時(shí)只是將此結(jié)果告知了審查員，并未結(jié)合對(duì)比文件1深入地分析為什么對(duì)比文件1沒有制備出磷酸二氫鉀類單晶光纖。而由于對(duì)比文件1的命名是“KDP單晶光纖生長(zhǎng)及變相研究”，且存在長(zhǎng)徑比達(dá)到1000：1的KDP單晶光纖的情況，因此，審查員就有理由相信對(duì)比文件1實(shí)質(zhì)上也做出了長(zhǎng)徑比可達(dá)到1000：1的KDP單晶光纖，進(jìn)而審查員完全有理由不認(rèn)可審?fù)ù饛?fù)的意見陳述。

B：對(duì)比文件1是通過調(diào)控過飽和度研究單晶光纖的生長(zhǎng)研究，而本申請(qǐng)是通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和生長(zhǎng)溫度來生長(zhǎng)單晶光纖，二者之間的關(guān)系是什么？審?fù)A段答復(fù)并未進(jìn)行陳述。而本領(lǐng)域公知過飽和度與溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和溫度有關(guān)，因此，審查員完全有理由相信本申請(qǐng)是受到對(duì)比文件1的啟發(fā)，通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和生長(zhǎng)溫度來調(diào)控單晶光纖的生長(zhǎng)，進(jìn)而得到單晶光纖。

（二）在復(fù)審階段應(yīng)該如何做才能爭(zhēng)取授權(quán)？

下面，筆者將結(jié)合“三步法”來說明在復(fù)審階段的答復(fù)思路。三步法中要求采用“確定最接近現(xiàn)有技術(shù)”-“確定發(fā)明與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征和實(shí)際解決的技術(shù)問題”-“判斷發(fā)明是否顯而易見”的方式判斷發(fā)明是否具備創(chuàng)造性，并結(jié)合預(yù)料不到的技術(shù)效果進(jìn)行論述。

1、文件修改

將權(quán)利要求1中的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)修改為“23-40％”；將權(quán)利要求1中的“冷卻至0-30℃”修改為“冷卻至0-25℃”，將權(quán)利要求1與3合并作為新的權(quán)利要求1，對(duì)其余權(quán)利要求的序號(hào)做適應(yīng)性修改。

2、以對(duì)比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術(shù)，確定本申請(qǐng)修改后的權(quán)利要求1與對(duì)比文件1的區(qū)別技術(shù)特征：

（1）本申請(qǐng)限定了將磷酸二氫鉀加入溶劑中，密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液，對(duì)比文件1中未公開；

（2）過熱和過濾的順序與對(duì)比文件1中不同；

（3）本申請(qǐng)限定了磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23-40％，將過熱后的溶液在生長(zhǎng)槽中冷卻至0-25℃，得到過飽和溶液；

（4）本申請(qǐng)限定了晶種為直徑1-50μm，長(zhǎng)徑比為20:1-70:1的KDP晶體。

確定修改后的權(quán)利要求1實(shí)際要解決的技術(shù)問題是：提供一種生長(zhǎng)速率快、晶體質(zhì)量好、大長(zhǎng)徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法。

答復(fù)思路：

（1）結(jié)合對(duì)比文件1公開的內(nèi)容說明對(duì)比文件1雖然公開了對(duì)溶液進(jìn)行過熱處理，但是其過熱處理是為了研究外界環(huán)境對(duì)KDP晶體成核生長(zhǎng)的影響（屬于自發(fā)成核法），而本申請(qǐng)是“下種法”，是將晶核放入到溶液后進(jìn)行單晶的生長(zhǎng)，不需要考慮外界環(huán)境對(duì)晶核形成的影響。即對(duì)比文件1研究溫度對(duì)KDP晶體形貌的影響的實(shí)驗(yàn)實(shí)質(zhì)是自發(fā)成核的方法，而并非是審查員所認(rèn)為的屬于下種法。（此段內(nèi)容是針對(duì)審查員對(duì)于本申請(qǐng)的技術(shù)方案屬于下種法的反駁）

（2）在復(fù)審答復(fù)時(shí)將要解決的技術(shù)問題設(shè)置為“提供一種生長(zhǎng)速率快、晶體質(zhì)量好、大長(zhǎng)徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法”是突出本申請(qǐng)創(chuàng)造性的關(guān)鍵。這是由于：

其一，對(duì)比文件1并未制備出高質(zhì)量、高長(zhǎng)徑比的KDP單晶光纖，也沒有給出如何獲得高質(zhì)量、高長(zhǎng)徑比的KDP單晶光纖的技術(shù)啟示。

其二：本申請(qǐng)與對(duì)比文件1的區(qū)別技術(shù)特征之一是KDP溶液的濃度存在差異，審查員認(rèn)為“KDP溶液的飽和度隨溫度降低而增加，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠通過有限次實(shí)驗(yàn)根據(jù)對(duì)比文件1所公開的柱面生長(zhǎng)死區(qū)來調(diào)整合適的生長(zhǎng)溫度。”然而，判斷發(fā)明是否具有創(chuàng)造性要看是否具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)指的是要求保護(hù)的發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見，而顯著的進(jìn)步主要應(yīng)當(dāng)考慮發(fā)明是否具有有益的技術(shù)效果。因此，在論述的時(shí)候結(jié)合對(duì)比文件1論述：首先，對(duì)比文件1并未制備出高質(zhì)量、大長(zhǎng)徑比的KDP單晶光纖；其次，對(duì)比文件1給出的技術(shù)啟示是在KDP溶液的過飽和度低于10.03%時(shí)會(huì)出現(xiàn)單晶光纖（質(zhì)量不高），高于10.03%時(shí)會(huì)出現(xiàn)三維生長(zhǎng)趨勢(shì)，不能得到單晶光纖。換句話說，對(duì)比文件1不能給出解決本申請(qǐng)技術(shù)問題的技術(shù)啟示。而本申請(qǐng)修改后的權(quán)利要求1中的KDP溶液的過飽和度高達(dá)16.63%以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于對(duì)比文件1中的10.03%，采用下種生長(zhǎng)的方式，通過控制生長(zhǎng)參數(shù)，在室溫或低于室溫條件下獲得KDP四方相或單斜相單晶光纖，光纖直徑在1-100μm范圍之內(nèi)，長(zhǎng)徑比≥500：1，擁有極大的長(zhǎng)徑比，光纖直徑可控，表面光滑，得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖，達(dá)到了預(yù)料不到的技術(shù)效果。

總結(jié)：在上述案例中，在復(fù)審階段答復(fù)的關(guān)鍵在于：其一，設(shè)置技術(shù)問題為提供一種生長(zhǎng)速率快、晶體質(zhì)量好、大長(zhǎng)徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長(zhǎng)方法。這一技術(shù)問題設(shè)置的關(guān)鍵在于對(duì)比文件1沒有制備出生長(zhǎng)速率快、晶體質(zhì)量好、大長(zhǎng)徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖，本領(lǐng)域技術(shù)人員難以預(yù)料如何對(duì)對(duì)比文件1的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)能夠制備出生長(zhǎng)速率快、晶體質(zhì)量好、大長(zhǎng)徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖。其二：對(duì)比文件1給出的技術(shù)啟示是當(dāng)KDP溶液的過飽和度高于10.03%時(shí)會(huì)出現(xiàn)三維生長(zhǎng)趨勢(shì)，不能得到單晶光纖；而復(fù)審答復(fù)時(shí)通過對(duì)權(quán)利要求書的修改和意見陳述證明了在“KDP溶液的過飽和度高達(dá)16.63%以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于對(duì)比文件1中的10.03%，得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖”，這達(dá)到了預(yù)料不到的技術(shù)效果，因此，該發(fā)明是有創(chuàng)造性的。

因此，對(duì)于“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的答復(fù)，筆者認(rèn)為，從“預(yù)料不到的技術(shù)效果”與“實(shí)際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示”之間的關(guān)系著手進(jìn)行論述，以突出技術(shù)方案的創(chuàng)造性。

展艷珊作者專欄

1、淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小肮ＷR(shí)”的應(yīng)對(duì)策略

（原標(biāo)題：淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對(duì)策略）

來源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）

作者：展艷珊 北京高沃律師事務(wù)所

編輯：IPRdaily辛夷          校對(duì)：IPRdaily縱橫君

注：原文鏈接：淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對(duì)策略（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）

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